KDB-2B為四探針法測(cè)量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡(jiǎn)單，測(cè)量。  
儀器特點(diǎn)如下：  
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測(cè)量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬(wàn)分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)全過(guò)程中的電流變化，使操作更簡(jiǎn)便，測(cè)量更。  
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV  靈敏度：1μV  輸入阻抗：1000ΜΩ  
 基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ；  
2、方塊電阻測(cè)量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；  
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。